BSP123L6327

产品描述

Trans MOSFET N-CH 100V 0.37A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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新加坡
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规格书
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	370mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs	2.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	70pF @ 25V
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Power - Max	1.79W
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 370mA, 10V
Supplier Device Package	PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 50µA
包装	4SOT-223
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	100 V
最大连续漏极电流	0.37 A
RDS -于	6000@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	3.3 ns
典型上升时间	3.2 ns
典型关闭延迟时间	8.7 ns
典型下降时间	9.4 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel

型号	厂家	产品描述
BSP123	rochester electronics
BSP123 L6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100 V 0.37 A
BSP123E6327NT	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 100V 0.37A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BSP123E6327T	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 100V 0.37A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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